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长鑫存储再建2座晶圆厂!

2019-12-4 01:45| 发布者: | 查看: 18| 评论: 0

摘要:   12 月 3 日消息根据 AnandTech 的报道,长鑫存储科技有限公司已经开始使用 19 纳米制造技术生产 DDR4 内存。目前,该公司已经制定了至少两个 10 纳米级制造工艺的路线图,并计划在未来生产所有类型的 DRAM。不仅 ...

  12 月 3 日消息根据 AnandTech 的报道,长鑫存储科技有限公司已经开始使用 19 纳米制造技术生产 DDR4 内存。目前,该公司已经制定了至少两个 10 纳米级制造工艺的路线图,并计划在未来生产所有类型的 DRAM。不仅如此,长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量。

  长鑫存储表示,其 77% 员工都是从事研发相关工作的工程师。今年 5 月,长鑫存储董事长兼 CEO 朱一明曾表示,从技术来源角度,合肥长鑫与奇梦达合作,并结合了长鑫自己的技术。通过与奇梦达合作,将一千多万份有关 DRAM 的技术文件(约 2.8TB 数据)收归囊中。现如今已经完成了早期积累。

  根据之前的报道,长鑫存储诞生于 2016 年,专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的研发、生产和销售,目前已建成第一座 12 英寸晶圆厂。


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