首页 行业 最新信息 查看内容

全球第一个!见过3英寸的DDR4内存吗?

2019-8-17 11:30| 发布者: | 查看: 38| 评论: 0

摘要:   作者:上方文Q  美商世迈(SMART Modular)近日展示了全球第一款 EDSFF 3 英寸 DDR4 Gen-Z 内存模组(简称 ZMM)的原型,当然已经不再是标准意义上的内存。  EDSFF (企业与数据中心存储形态)是由 Intel 牵头提出 ...

  作者:上方文Q

  美商世迈(SMART Modular)近日展示了全球第一款 EDSFF 3 英寸 DDR4 Gen-Z 内存模组(简称 ZMM)的原型,当然已经不再是标准意义上的内存。

  EDSFF (企业与数据中心存储形态)是由 Intel 牵头提出的一种新型企业级 SSD 存储规范,采用全新的开放式系统互连总线 Gen-Z。

  世迈的 ZMM 采用三星 32Gb (4GB) DDR4 内存颗粒,总容量 256GB,搭配 IntelliProp Gen-z Mamba 内存控制器 ASSP,接口为 4C SFF-TA-1008/9,支持 16 条 Gen-Z 通道,每个通道 25Gbps,合计达 400Gbps,对外可提供 30GB/s的传输带宽、400ns 的访问延迟。

  这么特殊的设计有什么用呢?主要是用于数据中心互连,支持多种访问模式,可简化内存访问,更好地处理基于数据的负载。

  3 英寸的身材也非常接近传统 2.5 寸硬盘,可以很轻松地放入服务器内部,不需要内部结构变化。

  唯一问题就是功耗较大,达到了 20W,需要注意散热,当然这对服务器来说不是啥大事儿。


EDSF 定义了多种接口规范,这里用的是最左边的那个“三段式”

  另外,美光公司宣布量产了 1Znm 工艺的 16Gb DDR4 内存,这是第第三代 10nm 级内存工艺,这次量产也让美光成为业界第一个量产 1Znm 工艺的公司,这一次进度比以往的标杆三星公司还要快。

  在内存工艺进入 20nm 之后,由于制造难度越来越高,内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽,而是分成了 1X、1Y、1Z,大体来说 1Xnm 工艺相当于 16-19nm 级别、1Ynm 相当于 14-16nm,1Znm 工艺相当于 12-14nm 级别

  根据美光之前公布的路线图,实际上 1Znm 之后还会有1αnm、1βnm、1γnm,这样一来 10nm 级别就有六种制造工艺了,现在正好演进到到了第三代

  美光表示,与上一代 1Ynm 制程相比,1Znm 16Gb DDR4 内存芯片可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本。

  不过美光并没有给出具体的数据,性能提升多少、成本降低多少尚无确切数据,唯一比较确切的就是说 1Znm 16Gb DDR4 内存相比前几代 8Gb DDR4 降低了大约 40% 的功耗,但这个比较也太过宽泛。

  此外,美光还宣布批量出货基于 UFS 多芯片封装 uMCP 的、业界容量最高的 16Gb LPDDR4X 内存,满足了业界对低功耗及更小封装的的要求。

  从去年 Q4 季度开始,由于内存市场从供不应求变成供过于求,智能手机、数据中心等终端需求不振,导致内存价格开始下滑,去年 Q4 季度跌了 10%,今年 Q1 季度暴跌了 30%,Q2 季度跌幅也达到了 25%,导致上半年内存价格跌了 50% 以上。

  内存价格下滑导致了全球内存市场 Q2 季度再次下滑,DRAMeXchange 前几天发布了 2019 年 Q2 季度的全球 DRAM 内存市场报告,称 Q2 季度全球内存行业总产值只有 148.44 亿美元,环比 Q1 季度的 163.32 亿美元下滑了 9.1%。

  至于现在的 Q3 季度,之前有厂商、渠道商以日韩争端影响韩国公司内存生产为由炒作,导致 7 月份现货价格大涨 24%,但是合约价并没有因此炒起来,以 8GB 内存模组为例,7 月份的均价下滑到了 25.5 美元,相比 6 月份 28.5 美元的价格下滑了 10%,相比前一季度的 31.5% 美元更是大跌了 20%。

  随着韩国公司半导体材料供应危机的逐步解决,支撑内存重新涨价的因素没了,预计 Q3 季度内存价格还会继续跌,不过跌幅可能会收窄到 10% 到 15% 左右。

  至于内存价格什么时候会触底反弹,现在来看厂商们预期的今年底反弹是没希望了,三星公司预计内存供过于求的情况会持续到明年 Q2 季度,也就是说内存价格未来还要再跌至少三个季度


鲜花

握手

雷人

路过

鸡蛋
毒镜头:老镜头、摄影器材资料库、老镜头样片、摄影
爱评测 aipingce.com  
返回顶部