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三星美光最害怕的事来了 国产8Gb DDR4内存年底量产

2019-6-12 16:00| 发布者: | 查看: 16| 评论: 0

摘要:   中国每年进口的集成电路超过 3000 亿美元,其中存储芯片占了大约1/3 的份额,但 DRAM 内存及 NAND 闪存目前尚无国产厂商染指,国产率基本为0,其中高价值的内存几乎垄断在三星、SK Hynix 及美光三家公司中。   ...

耗资 25 亿美元国产 DDR4 内存已完成研发测试年内部分投产

  中国每年进口的集成电路超过 3000 亿美元,其中存储芯片占了大约1/3 的份额,但 DRAM 内存及 NAND 闪存目前尚无国产厂商染指,国产率基本为0,其中高价值的内存几乎垄断在三星、SK Hynix 及美光三家公司中。

  Digitimes 报道称,合肥长鑫(ChangXin Memory Technologies,简称 CXMT)公司计划在今年底量产首款内存芯片,是 8Gb LPDDR4 颗粒,预计 Q4 季度产能约为 2 万片晶圆/月,不过产能最终会扩大到 12.5 万片晶圆/月。

  根据长鑫之前的公告,其首批 8Gb LPDDR4 内存应该是 19nm 工艺的,预计在 2020 年建设第二座晶圆厂,将使用 20nm 以下的工艺生产内存,该公司计划在 2021 年量产 17nm 工艺的内存芯片。

  此外,国内研发 DRAM 内存的另一家公司福建晋华 JHICC 被美国制裁,业务几乎停摆,长鑫公司也担心被美国盯上,促使他们在研发过程中非常注重知识产权。

  从长鑫公司之前公布的消息来看,他们的内存技术主要源于破产的奇梦达公司,将一千多万份有关 DRAM 的技术文件及 2.8TB 数据收归囊中,这也是公司最初的技术来源之一。长鑫存储在所接收技术和国际合作的基础上,利用专用研发线,展开世界速度的快速迭代研发,已持续投入晶圆超过 15000 片。


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