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国产内存揭秘:源于奇梦达一千多万份DRAM内存技术资料

2019-5-15 19:03| 发布者: | 查看: 25| 评论: 0

摘要:   不论是 NAND 闪存还是 DRAM 内存,国内市场几乎都是 100% 依赖进口,去年进口的存储芯片价值超过 1000 亿美元,所以国内近年来集中力量发展存储芯片。在国内布局的三大存储芯片基地中,紫光旗下的长江存储 240 ...

国产内存揭秘:源于奇梦达一千多万份 DRAM 内存技术资料

  不论是 NAND 闪存还是 DRAM 内存,国内市场几乎都是 100% 依赖进口,去年进口的存储芯片价值超过 1000 亿美元,所以国内近年来集中力量发展存储芯片。

在国内布局的三大存储芯片基地中,紫光旗下的长江存储 240 亿美元的投资主要是 NAND 闪存,DRAM 内存有福建晋华以及合肥长鑫,前者跟联电合作,因为跟美光产生了专利纠纷被美国制裁,发展前景并不乐观。

  国内 DRAM 内存的希望就剩下了合肥长鑫了,该公司 2016 年成立,官网资料很有限,只是提到“长鑫存储致力于成为全球领先的半导体 IDM 企业,不断引进先进的半导体设施,并研发行业顶尖技术。”

国产内存揭秘:源于奇梦达一千多万份 DRAM 内存技术资料

  不过媒体报道称,2017 年合肥长鑫投资 72 亿美元兴建 12 寸晶圆厂以发展 DRAM 产品,未来完成后,预计最大月产将高达 12.5 万片规模。

  此外,2017 年 10 月份兆易创新宣布与合肥市产业投资控股(集团)有限公司合作开展工艺制程 19nm 存储器的 12 英寸晶圆存储器(含 DRAM 等)研发项目,总投资 180 亿元,合作主体也是合肥产投下属的长鑫公司。

  根据长鑫公司之前公布的计划,合肥长鑫的一厂厂房已经于 2018 年 1 月建设完成,设备也开始安装。根据计划,长鑫将于 2018 年年底推出 8Gb DDR4 工程样品,2019 年三季度推出 8Gb LPDDR4,到 2019 年年底,产能将达到 2 万片一个月。从 2020 年开始,公司则开始规划二厂,2021 年则完成 17nn 的研发。

  长鑫发展 DRAM 内存的关键不是资金,而是人才及技术,在三星美光 SK 海力士等公司垄断了全球主要的内存产能及技术之后,长鑫的 DRAM 内存技术来源是哪里呢?

  今天在上海举办的 GSA 峰会上,长鑫存储的董事长兼 CEO 朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲,其中就提到了长鑫 DRAM 内存的技术来源。

  根据朱一明所说,长鑫从成立开始,就与国内外技术领先的合作伙伴广泛开展研发合作,如 ASML、KLA-Tencor、Lam Research、TEL、Applied Material 和 TechInsight 等,不过 DRAM 内存技术重要原来则是已经破产的奇梦达。

  奇梦达公司是英飞凌半导体剥离出来成立的 DRAM 芯片公司,早些年还可以在某些显卡上看到他们的 GDDR 显存,不过奇梦达已经破产多年,但这主要是因为经营不善,奇梦达在 DRAM 上还是有自己的技术的。

  朱一明表示长鑫存储通过与其合作,将一千多万份有关 DRAM 的技术文件及 2.8TB 数据收归囊中,这也是公司最初的技术来源之一。长鑫存储在所接收技术和国际合作的基础上,利用专用研发线,展开世界速度的快速迭代研发,已持续投入晶圆超过 15000 片。


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